イメージセンサ及び電子機器

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-184307
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008991
出願日： 2012年08月23日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：

【課題】後の工程で形成される光電変換層を広く形成することができ、センサの受光面積(開口率)を上げることができる、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。【解決手段】イメージセンサは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタを有し、トランジスタの上方に絶縁膜を有し、絶縁膜の上方にフォトダイオードを有する。トランジスタはフォトダイオードと重なる位置に設けられている。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

トランジスタを有し、前記トランジスタの上方に絶縁膜を有し、前記絶縁膜の上方にフォトダイオードを有し、前記トランジスタは、前記フォトダイオードと重なる位置に設けられていることを特徴とするイメージセンサ。

IPC (5件)：

H01L 27/146 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/133 , G02F 1/136

FI (6件)：

H01L27/14 C , H01L29/78 613Z , H01L29/78 612Z , G02F1/1333 , G02F1/136 , G02F1/1335 520

Fターム (98件)：

2H092GA62 , 2H092JA05 , 2H092JA08 , 2H092JA24 , 2H092JA46 , 2H092JB07 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA07 , 2H092NA27 , 2H092PA06 , 2H092PA09 , 2H092PA12 , 2H092QA08 , 2H092QA09 , 2H189AA15 , 2H189HA11 , 2H189HA12 , 2H189JA06 , 2H189JA07 , 2H189LA03 , 2H189LA08 , 2H189LA10 , 2H189LA15 , 2H189LA19 , 2H189LA27 , 2H189LA31 , 2H191FA13Y , 2H191FA31Y , 2H191FB14 , 2H191FD04 , 2H191GA04 , 2H191GA17 , 2H191GA19 , 2H191HA07 , 2H191HA08 , 2H191LA11 , 2H191LA13 , 2H191NA43 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118BA30 , 4M118CA02 , 4M118CA32 , 4M118CB06 , 4M118CB14 , 4M118DB09 , 4M118DD12 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB20 , 4M118GA02 , 4M118GC07 , 5F110AA04 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110FF04 , 5F110FF30 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN41 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP29

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭63-003454
特開昭58-210765
密着イメージセンサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-164262 出願人：日本電気株式会社

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