特許
J-GLOBAL ID：201303018688136940
熱処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-109017
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201448
出願日： 2013年05月23日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：
【課題】基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法を提供する。【解決手段】光照射の総時間が1秒以下の光照射加熱において、ピークが発光出力LPとなる出力波形にて基板に光照射を行って基板の表面温度を所定の処理温度T2に昇温する昇温工程と、そのピークが過ぎた後に発光出力LPよりも小さな発光出力にて基板に追加の光照射を行って基板の表面温度を処理温度T2に5ミリセカンド以上維持する温度維持工程と、を実行する。基板の表面温度を概ね一定の処理温度T2に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができ、基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
ピークが第1の発光出力となる出力波形にて基板に光照射を行って前記基板の表面温度を所定の処理温度に昇温する昇温工程と、
前記ピークを過ぎた後に前記第1の発光出力よりも小さな発光出力にて基板に追加の光照射を行って前記基板の表面温度を前記処理温度に5ミリセカンド以上維持する温度維持工程と、
を備え、
前記昇温工程での光照射時間と前記温度維持工程での光照射時間との合計が1秒以下であることを特徴とする熱処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/26 T
, H01L21/265 602B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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