特許
J-GLOBAL ID:200903078024288824
基板加熱装置及び基板加熱方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長澤 俊一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-339823
公開番号(公開出願番号):特開2009-164201
出願日: 2007年12月28日
公開日(公表日): 2009年07月23日
要約:
【課題】フラッシュランプを用いて基板を急速加熱し、最表面にイオン注入や活性化等を行うに際し、基板の変形や割れを抑制しながら基板を活性化できるようにすること。【解決手段】フラッシュランプからの光を照射して、基板を加熱する基板加熱装置において、フラッシュランプ5に直列に半導体スイッチ25を接続する。そして、フラッシュランプ5のトリガ電極52にトリガ信号を入力したのち、ゲート回路28から第1の駆動信号、第2の駆動信号を出力し、第2の駆動信号が半導体スイッチ25をオンにする期間を、第1の駆動信号の内の一つの駆動信号により半導体スイッチ25がオンになる期間より長くなるようにする。そして、第1の駆動信号により上記半導体スイッチをオン、オフして基板温度を目標となる所望の温度より低い温度まで上昇させ短時間その状態に保ち、その後、基板の表面温度を目標となる所望の温度まで上昇させる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
電源と、
上記電源により充電されるコンデンサと、
上記コンデンサに蓄積された電荷によって放電するフラッシュランプと、
上記コンデンサとフラッシュランプとの間に接続されたインダクタンスと、
上記フラッシュランプに放電を開始させるためのトリガ装置と、からなるランプ加熱装置によって、基板を加熱する基板加熱装置において、
上記フラッシュランプとインダクタンスとからなる直列回路に対し、並列に接続されたダイオードと、
上記フラッシュランプに直列に接続された半導体スイッチと、該半導体スイッチのオン-オフを制御する制御部と、を設け、
上記制御部は、上記トリガ装置にトリガ信号が入力された後、上記半導体スイッチを少なくとも一回、オン、オフさせる第1の駆動信号と、該第1の駆動信号が出力された後、上記半導体スイッチを一回のみオンにする第2の駆動信号を出力する駆動回路を有し、
上記第2の駆動信号が上記半導体スイッチをオンにする期間は、上記第1の駆動信号の内の一つの駆動信号により上記半導体スイッチがオンになる期間より長い
ことを特徴とする基板加熱装置。
IPC (3件):
H01L 21/26
, F27D 11/02
, H01L 21/265
FI (4件):
H01L21/26 T
, H01L21/26 G
, F27D11/02 Z
, H01L21/265 602B
Fターム (5件):
4K063AA12
, 4K063BA12
, 4K063CA03
, 4K063CA06
, 4K063FA81
引用特許: