特許
J-GLOBAL ID：201303019434076642

半導体記憶装置、車載機器、車両

発明者：
久賀 健志

久賀 健志 について

, 
▲高▼木 宏樹

▲高▼木 宏樹 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  林田 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-121757
公開番号（公開出願番号）：特開2013-246857
出願日： 2012年05月29日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
要約：
【課題】半導体記憶装置のデータ読出精度を高める。【解決手段】半導体記憶装置10は、複数のメモリセルを含むメモリバンク11と、メモリバンク11からデータを読み出す際にアクセス対象のメモリセルMC1に流れる読出電流Imemと所定の参照電流Irefとを比較して出力データ信号DOUT1を生成するリード/ライトアンプ14と、を有し、リード/ライトアンプ14は、常時非選択状態のダミーメモリセル142cに流れるダミー寄生リーク電流Idmに応じて参照電流Irefの可変制御を行う。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを含むメモリバンクと、 前記メモリバンクからデータを読み出す際にアクセス対象のメモリセルに流れる読出電流と所定の参照電流とを比較して出力データ信号を生成するリード/ライトアンプと、 を有し、 前記リード/ライトアンプは、常時非選択状態のダミーメモリセルに流れるダミー寄生リーク電流に応じて前記参照電流の可変制御を行うことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/04
FI (2件)：
G11C17/00 634E ,  G11C17/00 624
Fターム (13件)：
5B125BA02 ,  5B125BA05 ,  5B125CA13 ,  5B125CA21 ,  5B125DA09 ,  5B125EA01 ,  5B125ED09 ,  5B125EE02 ,  5B125EE11 ,  5B125EE14 ,  5B125EG14 ,  5B125EJ09 ,  5B125FA02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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