半導体メモリ装置及びリード動作方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：大塚康徳 , 高柳司郎 , 大塚康弘 , 木村秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258234
公開番号（公開出願番号）：特開2006-079812
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】リード動作の時に漏洩電流を補償することができる相変化メモリ装置を提供する。【解決手段】ワードラインとビットラインとの交差点に位置する複数個のメモリセルと、ダミービットラインに連結された複数個のダミーセルと、前記ダミービットラインに連結され漏洩補償電流を前記ビットラインに出力する漏洩補償回路と、第1制御信号に応じてリード動作時に必要なリード電流を前記ビットラインに出力する理度電流供給回路と、を備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ワードラインとビットラインとの交差点に位置する複数個のメモリセルと、ダミービットラインに連結された複数個のダミーセルと、前記ダミービットラインに連結され漏洩補償電流を前記ビットラインに出力する漏洩補償回路と、第1制御信号に応じてリード動作時に必要なリード電流を前記ビットラインに出力するリード電流供給回路と、を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

G11C 13/00 , H01L 27/105 , H01L 45/00

FI (3件)：

G11C13/00 A , H01L27/10 448 , H01L45/00 A

Fターム (8件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083JA60 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083ZA28

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6,487,113号明細書
米国特許第6,480,438号明細書

審査官引用 (5件)

読み出し専用メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-051527 出願人：沖電気工業株式会社
不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-333581 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
データ伝送回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-002010 出願人：株式会社東芝

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