特許
J-GLOBAL ID：201303019803503525
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
とこしえ特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-124020
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140935
出願日： 2012年05月31日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：
【課題】半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置が提供される。装置は、基板、第一および第二エピタキシー、ゲート構造を含む。基板は、第一ドーピング領域とその上の第二ドーピング領域を含む。第一と第二ドーピング領域は、第一導電型を有する。第二ドーピング領域は、少なくとも一つの第一トレンチとそれに隣接する少なくとも一つの第二トレンチを含む。第一エピタキシー層は第一トレンチ内に設置され、第二導電型を有する。第二エピタキシー層は、第二トレンチ内に設置され、第一導電型を有する。第二エピタキシー層は、第二ドーピング領域より高く、第一ドーピング領域より低いドーピング濃度を有する。ゲート構造は、第二トレンチ上に設置される。半導体装置の製造方法も提供される。【選択図】図2G
請求項（抜粋）：
半導体装置であって、
第一ドーピング領域およびその上に位置する第二ドーピング領域を有し、前記第一ドーピング領域及び前記第二ドーピング領域は第一導電型を有し、且つ、前記第二ドーピング領域内に、少なくとも一つの第一トレンチおよびそれと隣接する少なくとも一つの第二トレンチを有する基板と、
前記第一トレンチ内に設置され、且つ、第二導電型を有する第一エピタキシー層と、
前記第二トレンチ内に設置され、且つ、前記第一導電型を有し、前記第二ドーピング領域のドープ濃度より高く、且つ、前記第一ドーピング領域のドープ濃度より低いドープ濃度を有する第二エピタキシー層と、
前記第二トレンチ上方に設置されるゲート構造と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/06
H01L29/78 652H
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658F
, H01L29/06 301D
, H01L29/06 301V
