特許
J-GLOBAL ID：200903004544479300
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-115548
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294968
出願日： 2005年04月13日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 飽和電流を増加させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 高濃度のN型不純物を含むドレイン層101上には、ドレイン層101よりも不純物濃度の低いN型Siからなる中間層102が形成されている。中間層102には、断面が矩形状である複数のトレンチが形成されており、そのトレンチを埋めるようにN型層103が形成されている。このN型層103は、ドレイン層101よりも不純物濃度が低く、中間層102よりも不純物濃度が高いN型Siからなる層であり、動作時の電流の主経路となるドリフト層を構成している。また、中間層102には、N型層103と同様に複数のトレンチが形成されており、そのトレンチを埋めるように、P型SiからなるP型層104が形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体を含み、動作時の電流の主経路となる第1の半導体層と、第2導電型の半導体で溝を埋めることにより形成された第2の半導体層とが、前記電流の流路を横切る方向に交互に並ぶように形成された半導体装置において、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に、前記第1の半導体層よりも不純物濃度の低い第1導電型の半導体を含む中間層を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 21/336
H01L29/78 652H
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655B
, H01L29/78 658E
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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