特許
J-GLOBAL ID：201303020315249456

半導体装置およびその製造方法

発明者：
古原 健二

古原 健二 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-189435
公開番号（公開出願番号）：特開2013-051357
出願日： 2011年08月31日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：
【課題】厚み寸法の増大を抑えつつ平面寸法を小さくした半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】半導体装置10は、リードフレームRMの主面側MFに搭載された回路素子Dと、リードフレームRMの裏面側BFに搭載されたインダクタ12と、回路素子Dおよびインダクタ12を樹脂封止する樹脂体14と、を備えている。回路素子Dには、モノリシック集積回路であるMIC18が含まれる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
リードフレームの主面側に搭載された回路素子と、 前記リードフレームの裏面側に搭載されたインダクタと、 前記回路素子および前記インダクタを樹脂封止する樹脂体と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/00 ,  H01L 23/50 ,  H01L 23/36
FI (3件)：
H01L25/00 B ,  H01L23/50 K ,  H01L23/36 Z
Fターム (6件)：
5F067AA02 ,  5F067AB01 ,  5F067BE09 ,  5F067CD10 ,  5F136BA04 ,  5F136DA28
引用特許：
審査官引用 (4件)
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