特許
J-GLOBAL ID:201303021156478534

半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 佐野 静夫 ,  井上 温
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-094473
公開番号(公開出願番号):特開2013-222877
出願日: 2012年04月18日
公開日(公表日): 2013年10月28日
要約:
【課題】半導体モジュール製造時の樹脂封止による基板の変形、及びこの変形に起因する電子部品の剥離等を回避することが可能な半導体モジュールを提供する。【解決手段】集合基板101の裏面において、集合基板101を分割切断する時のダイシングラインの全部または一部にダミーパターン11を形成する。或いは、集合基板101の裏面の凹凸を軽減するためのソルダーレジストを形成する。これにより、樹脂モールド時における集合基板101の変形を防止し、ICのバンプ剥離や搭載部品の変形を防止するとともに、集合基板101の残留応力を小さくする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板の主面に電子部品が搭載されて樹脂モールドされ、前記基板の裏面に電気接続用の端子パターンが設けられた半導体モジュールであって、 前記基板の裏面において、前記基板の裏面の凹凸を低減するためのダミーパターンが前記端子パターン以外の部分に形成されていること を特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件):
H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (1件):
H01L23/30 R
Fターム (5件):
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DA08 ,  4M109EC04
引用特許:
審査官引用 (8件)
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