半導体装置および半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-019262
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179289
出願日： 2013年02月04日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。また、該半導体装置と同一工程で容量素子が効率良く形成された半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタの酸化物半導体膜の側端部とソース電極およびドレイン電極の少なくとも一方が電気的に接続されていなければ当該側端部に寄生チャネルは形成されない。よって、トランジスタのソース電極およびドレイン電極の少なくとも一方と、酸化物半導体膜の側端部とが電気的に接続されない構造のトランジスタを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上の不純物元素が添加された第1の領域、前記第1の領域の外側領域を囲うチャネル形成領域、および前記チャネル形成領域の外側領域を囲み、不純物元素が少なくとも一部に添加された第2の領域を少なくとも含む酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の、前記チャネル形成領域と重畳するゲート電極と、前記ゲート電極の側面を少なくとも覆う側壁絶縁膜と、前記ゲート電極に囲まれ、前記酸化物半導体膜の前記第1の領域と接するソース電極と、前記酸化物半導体膜の側端部を含む外周部全体を囲み、前記酸化物半導体膜の前記第2の領域と接するドレイン電極と、前記ドレイン電極、前記酸化物半導体膜、前記側壁絶縁膜および前記ゲート電極上のバリア膜と、前記バリア膜上の層間絶縁膜と、を有する半導体装置。

IPC (14件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/08

FI (18件)：

H01L29/78 616T , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 616A , H01L29/78 626C , H01L29/78 616K , H01L27/10 321 , H01L27/10 615 , H01L27/10 671C , H01L27/10 671Z , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L27/10 441 , H01L27/10 461 , H01L27/06 102A , H01L27/08 331E

Fターム (191件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA05 , 4M104AA06 , 4M104AA07 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD26 , 4M104DD28 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD75 , 4M104DD81 , 4M104DD92 , 4M104DD94 , 4M104EE05 , 4M104EE16 , 4M104FF02 , 4M104FF04 , 4M104FF08 , 4M104FF09 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104FF26 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 4M104HH04 , 4M104HH10 , 4M104HH13 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BF16 , 5F083AD02 , 5F083AD14 , 5F083AD69 , 5F083EP22 , 5F083EP75 , 5F083GA02 , 5F083GA06 , 5F083GA10 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA08 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA44 , 5F083JA58 , 5F083LA21 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F083ZA15 , 5F083ZA19 , 5F083ZA20 , 5F101BA17 , 5F101BB17 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD35 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BF02 , 5F101BF03 , 5F101BF09 , 5F101BH03 , 5F101BH06 , 5F101BH09 , 5F101BH16 , 5F101BH26 , 5F110AA08 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB11 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE24 , 5F110EE32 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG23 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG55 , 5F110GG57 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HK03 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK34 , 5F110HK42 , 5F110HL06 , 5F110HL23 , 5F110HM04 , 5F110HM15 , 5F110NN05 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN72 , 5F110NN78 , 5F110QQ06 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置、電力用回路、および、半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-210509 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-347784 出願人：富士通株式会社
半導体装置および半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-050281 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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