特許
J-GLOBAL ID：201003062225101703

薄膜半導体材料を用いる薄膜トランジスタ

発明者：
イー, ヤン

イー, ヤン について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  池田 成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-520218
公開番号（公開出願番号）：特表2010-535431
出願日： 2008年08月01日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：
【課題】 アクティブチャンネルとして、酸素と、窒素と、亜鉛、錫、ガリウム、カドミウム、及びインジウムからなる群より選ばれる一つ以上の元素とを含む半導体材料を有するTFTを提供する。【解決手段】 半導体材料は、底部ゲートのTFT、最上部ゲートのTFT、他のタイプのTFTに用いることができる。TFTは、エッチングによってパターン形成されて、チャンネルと金属電極の双方を作成させることができる。次に、エッチング停止層として半導体材料を用いたドライエッチングによってソース・ドレイン電極を画成することができる。アクティブ層のキャリヤ濃度、移動度、TFTの他の層との接合部は、あらかじめ決められた値に調整可能である。この調整は、窒素含有ガスと酸素含有ガスの流量比を変えること、堆積された半導体膜をアニーリングし更に/又はプラズマ処理すること、或いはアルミニウムのドーピング濃度を変えることによって達成することができる。【選択図】 図4E
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタであって、 酸素と、窒素と、亜鉛、インジウム、錫、カドミウム、ガリウム、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる一つ以上の元素とを含む半導体層 を含む、前記トランジスタ。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  C01G 9/00 ,  C01G 19/00 ,  C01B 21/06 ,  C01G 11/00 ,  C01G 15/00 ,  C23C 14/06
FI (10件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 619A ,  C01G9/00 Z ,  C01G19/00 Z ,  C01B21/06 Z ,  C01G11/00 ,  C01G15/00 B ,  C01G15/00 D ,  C23C14/06 K
Fターム (52件)：
4G047AA05 ,  4G047AB01 ,  4G047AC03 ,  4G047AD02 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN73
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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