半導体装置、電力用回路、および、半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-210509
公開番号（公開出願番号）：特開2011-091382
出願日： 2010年09月21日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：

【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】基板上の第1の導電層と、第1の導電層を覆う酸化物半導体層と、酸化物半導体層上の、第1の導電層と重畳しない領域の第2の導電層と、酸化物半導体層および第2の導電層を覆う絶縁層と、絶縁層上の、少なくとも第1の導電層および第2の導電層と重畳しない領域を含む領域の第3の導電層と、を有する半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上の第1の導電層と、前記第1の導電層を覆う酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上の、前記第1の導電層と重畳しない領域の第2の導電層と、前記酸化物半導体層および前記第2の導電層を覆う絶縁層と、前記絶縁層上の、少なくとも前記第1の導電層および前記第2の導電層と重畳しない領域を含む領域の第3の導電層と、を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/363

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616T , H01L29/78 618A , H01L21/363

Fターム (51件)：

5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103BB44 , 5F103DD30 , 5F103HH07 , 5F103LL07 , 5F103PP03 , 5F103PP06 , 5F103PP18 , 5F103PP20 , 5F103RR05 , 5F110AA16 , 5F110BB12 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE24 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG23 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM04 , 5F110HM12

引用特許：

審査官引用 (4件)

電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-283893 出願人：キヤノン株式会社
薄膜トランジスタおよび表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-198991 出願人：ソニー株式会社
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-056251 出願人：富士通株式会社

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