特許
J-GLOBAL ID:201303021727318130
パターン形成方法及びレジスト組成物
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-174521
公開番号(公開出願番号):特開2013-064988
出願日: 2012年08月07日
公開日(公表日): 2013年04月11日
要約:
【解決手段】置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を含むウレア結合、アミド結合、又はウレタン結合を有する化合物と、ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。【効果】本発明に係るレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を含むウレア結合、アミド結合、又はウレタン結合を有する化合物と、ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (8件):
G03F 7/004
, G03F 7/038
, G03F 7/039
, G03F 7/32
, C09K 3/00
, C08L 33/10
, C08F 220/18
, H01L 21/027
FI (9件):
G03F7/004 501
, G03F7/038 601
, G03F7/039 601
, G03F7/32
, G03F7/004 503A
, C09K3/00 K
, C08L33/10
, C08F220/18
, H01L21/30 502R
Fターム (103件):
2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096DA01
, 2H096EA05
, 2H096FA01
, 2H096GA03
, 2H096GA08
, 2H096HA01
, 2H125AC05
, 2H125AE03P
, 2H125AE04P
, 2H125AF17P
, 2H125AF34P
, 2H125AF38P
, 2H125AF41P
, 2H125AF43P
, 2H125AF45P
, 2H125AF70P
, 2H125AH05
, 2H125AH13
, 2H125AH16
, 2H125AH19
, 2H125AH23
, 2H125AH24
, 2H125AH29
, 2H125AJ12X
, 2H125AJ12Y
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ18X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ65Y
, 2H125AJ68X
, 2H125AJ68Y
, 2H125AJ69X
, 2H125AJ69Y
, 2H125AJ70X
, 2H125AJ84Y
, 2H125AJ95Y
, 2H125AL03
, 2H125AL22
, 2H125AM18P
, 2H125AM22N
, 2H125AM30P
, 2H125AM43P
, 2H125AM94N
, 2H125AM99N
, 2H125AM99P
, 2H125AN11N
, 2H125AN11P
, 2H125AN31N
, 2H125AN31P
, 2H125AN39P
, 2H125AN41P
, 2H125AN42P
, 2H125AN51P
, 2H125AN61P
, 2H125AN63N
, 2H125AN83P
, 2H125AN88P
, 2H125BA01N
, 2H125BA01P
, 2H125BA26N
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC01
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 2H125FA05
, 4J002BG07W
, 4J002BG07X
, 4J002BH02X
, 4J002GP03
, 4J100AE09Q
, 4J100AK32R
, 4J100AL08P
, 4J100AR11S
, 4J100BA02P
, 4J100BA02Q
, 4J100BA02S
, 4J100BA03P
, 4J100BA11T
, 4J100BA15P
, 4J100BA20P
, 4J100BA55P
, 4J100BA56P
, 4J100BB10P
, 4J100BB11P
, 4J100BB12P
, 4J100BC03P
, 4J100BC04P
, 4J100BC08P
, 4J100BC09P
, 4J100BC49P
, 4J100BC53P
, 4J100BC53T
, 4J100BC58P
, 4J100BC60P
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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