特許
J-GLOBAL ID：201003005633274043

重合性アニオンを有する含フッ素スルホン塩類とその製造方法、含フッ素樹脂、レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
増渕 毅

増渕 毅 について

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森 和規

森 和規 について

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萩原 勇士

萩原 勇士 について

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成塚 智

成塚 智 について

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前田 一彦

前田 一彦 について


出願人/特許権者：
セントラル硝子株式会社

セントラル硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 花田 吉秋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-268476
公開番号（公開出願番号）：特開2010-095643
出願日： 2008年10月17日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：
【課題】ArFエキシマレーザー光等に対して高感度で、発生する酸(光発生酸)の酸性度が十分高く、かつレジスト被膜中での拡散長が適度に短く、またマスクパターンの疎密度への依存性が小さい新規な光酸発生剤、当該光酸発生剤を構成する新規なスルホン酸塩、当該光酸発生剤から発生するスルホン酸、当該光酸発生剤を合成する原料ないし中間体として有用なスルホン酸誘導体、並びに当該スルホン酸塩を製造するための方法を提供する。【解決手段】下記一般式(2)で表される重合性含フッ素スルホン酸オニウム塩およびこれを重合させた重合体。 【化】(式中、ZおよびRは前記一般式(1)におけるZおよびRと同義である。Q+は、スルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンを表す。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表される構造を有する重合性含フッ素スルホン酸または重合性含フッ素スルホン酸塩。
IPC (6件)：
C08F 20/38 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/38
FI (6件)：
C08F20/38 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/38 501
Fターム (68件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CC20 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096DA10 ,  2H096EA05 ,  2H096GA09 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA11S ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA15S ,  4J100BA16P ,  4J100BA16Q ,  4J100BA16R ,  4J100BA16S ,  4J100BA56P ,  4J100BA56Q ,  4J100BA56R ,  4J100BA56S ,  4J100BB01P ,  4J100BB01Q ,  4J100BB01R ,  4J100BB01S ,  4J100BB07P ,  4J100BB07Q ,  4J100BB07R ,  4J100BB07S ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC04S ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC08S ,  4J100BC09P ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC53S ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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