特許
J-GLOBAL ID：201303023382448314

光電変換素子および光電変換素子モジュール

発明者：
古宮 良一

古宮 良一 について

, 
福井 篤

福井 篤 について

, 
山中 良亮

山中 良亮 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-128075
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256470
出願日： 2011年06月08日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】光電変換効率が高い光電変換素子および光電変換素子モジュールを提供する。【解決手段】本発明の光電変換素子は、透光性基板と、該透光性基板上に形成された透明導電層と、該透明導電層上に形成された光電変換層と、該光電変換層に接して形成された多孔性絶縁層と、該多孔性絶縁層に接して形成された反射層と、該反射層上に形成された触媒層とを有し、光電変換層は、多孔性半導体とキャリア輸送材料と光増感剤とを含み、透光性基板に向けて垂直に多孔性絶縁層を投影したときの投影面積、および透光性基板に向けて垂直に反射層を投影したときの投影面積は、透光性基板に向けて垂直に光電変換層を投影したときの投影面積よりも大きいことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性基板と、 前記透光性基板上に形成された透明導電層と、 前記透明導電層上に形成された光電変換層と、 前記光電変換層に接して形成された多孔性絶縁層と、 前記多孔性絶縁層に接して形成された反射層と、 前記反射層上に形成された触媒層および対極導電層とを有し、 前記光電変換層は、多孔性半導体とキャリア輸送材料と光増感剤とを含み、 前記透光性基板に向けて垂直に前記多孔性絶縁層を投影したときの投影面積、および前記透光性基板に向けて垂直に前記反射層を投影したときの投影面積は、前記透光性基板に向けて垂直に前記光電変換層を投影したときの投影面積よりも大きい、光電変換素子。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (18件)：
5F151AA14 ,  5F151EA09 ,  5F151EA10 ,  5F151EA11 ,  5F151EA16 ,  5F151FA03 ,  5F151FA06 ,  5F151FA08 ,  5F151GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AA09 ,  5H032AS16 ,  5H032CC11 ,  5H032EE02 ,  5H032EE15 ,  5H032EE18 ,  5H032HH04 ,  5H032HH08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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