基板の表面から汚染物質および自然酸化物を除去する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-523174
公開番号（公開出願番号）：特表2013-541178
出願日： 2011年07月06日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

本発明の実施形態は一般に、基板の表面から汚染物質および自然酸化物を除去する方法に関する。この方法は一般に、酸化物層を上部に有する基板を酸化源に曝露することを含む。この酸化源は、酸化物層の下の基板の上部を酸化して、より厚い酸化物層を形成する。次いで、このより厚い酸化物層を除去して、基板の清浄表面を露出させる。この酸化物層の除去は一般に、酸化物層の内部および上に存在する汚染物質、特に酸化物層と基板の界面に存在する汚染物質を除去することを含む。次いで、基板の清浄表面にエピタキシャル層を形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板の表面を洗浄する方法であって、第1の厚さを有する酸化物層を上部に有する基板をチャンバ内に配置すること、前記基板を酸化源に曝露することによって、前記酸化物層の厚さを第2の厚さまで増大させること、前記基板から前記酸化物層を除去すること、および前記酸化物層を除去した後の前記基板の上に材料層を堆積させることを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/306 , H01L 21/304 , H01L 21/20

FI (7件)：

H01L21/205 , H01L21/302 102 , H01L21/304 645C , H01L21/304 642A , H01L21/304 643A , H01L21/306 D , H01L21/20

Fターム (40件)：

5F004AA14 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA27 , 5F004DB03 , 5F004EA30 , 5F043AA31 , 5F043BB22 , 5F043GG10 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AB05 , 5F045BB14 , 5F045EB13 , 5F045HA03 , 5F045HA04 , 5F045HA06 , 5F152LM09 , 5F152LN29 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NN07 , 5F152NN09 , 5F152NQ02 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F157AA22 , 5F157AA23 , 5F157AA62 , 5F157AA72 , 5F157AA84 , 5F157AB02 , 5F157AC01 , 5F157BB01 , 5F157BB11 , 5F157BC01 , 5F157BG32 , 5F157DB02 , 5F157DB03 , 5F157DB18

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-319944
基板表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-208455 出願人：株式会社東芝
半導体基板の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-259897 出願人：光洋リンドバーグ株式会社

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