特許
J-GLOBAL ID：200903060572406189

半導体基板の表面処理方法

発明者：
前田 英樹

前田 英樹 について

, 
森口 太

森口 太 について


出願人/特許権者：
光洋リンドバーグ株式会社

光洋リンドバーグ株式会社 について


代理人 (1件)： 岸本 瑛之助 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-259897
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102482
出願日： 1995年10月06日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板の表面に荒れが生じるのを防止し、平滑な表面を得る。半導体基板の表面の極く近傍の結晶の不整をなくす。自然酸化膜に汚染物質が付着していた場合にこれらを除去する。装置の腐食を防止する。後工程である半導体装置製造のための処理を、自然酸化膜の除去処理と系の同じ装置により行う。【解決手段】 表面に自然酸化膜ON が生成しているシリコンウェハWを、O2ガス含有Arガス雰囲気中で加熱し、自然酸化膜ON とは別に新たに酸化膜OHを生成させることにより、全体に均質な酸化膜Oを形成する。H2 ガス含有Arガス雰囲気中で加熱して酸化膜Oをすべて除去する。
請求項（抜粋）：
表面に自然酸化膜が生成している半導体基板を、O2 ガスを含有した希ガス雰囲気中で加熱し、自然酸化膜とは別に新たに酸化膜を形成すること、およびH2 ガス雰囲気またはH2 ガスを含有した希ガス雰囲気中で加熱して酸化膜をすべて除去することを特徴とする半導体基板の表面処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L 21/302 P ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開平1-319944
  • 基板表面処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-208455   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-144599   出願人：富士通株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM