特許
J-GLOBAL ID：201303023868100905

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
宇佐美 達矢

宇佐美 達矢 について

, 
中村 朝至

中村 朝至 について

, 
藤本 直樹

藤本 直樹 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-066739
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197575
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】膜強度の高い層間絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置SDは、Si、O、CおよびHを含む層間絶縁膜IL1と、層間絶縁膜IL1上に設けられ、Niを含むアンダーバンプメタル膜UBMと、アンダーバンプメタル膜UBM上に設けられたバンプ電極BEと、を備えている。層間絶縁膜IL1のうち、FTIR(Fourier Transform Infrared Spectroscopy)法によって求められる、波数1030cm-1近傍のSi-Oのピーク高さに対する波数1270cm-1近傍のSi-CH3のピーク高さの比率は0.15以上0.27以下である。また、波数1270cm-1近傍のSi-CH3のピーク高さに対する波数1360cm-1近傍のSi-CH2-Siのピーク高さの比率は0.031以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si、O、CおよびHを含む層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に設けられ、Niを含むアンダーバンプメタル膜と、 前記アンダーバンプメタル膜上に設けられたバンプ電極と、 を備え、 前記層間絶縁膜のうち、FTIR(Fourier Transform Infrared Spectroscopy)法によって求められる、波数1030cm-1近傍のSi-Oのピーク高さに対する波数1270cm-1近傍のSi-CH3のピーク高さの比率は0.15以上0.27以下であり、 波数1270cm-1近傍のSi-CH3のピーク高さに対する波数1360cm-1近傍のSi-CH2-Siのピーク高さの比率は0.031以上である半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/60
FI (4件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/88 T ,  H01L21/90 J ,  H01L21/92 602K
Fターム (55件)：
5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR22 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033WW09 ,  5F033XX05 ,  5F033XX17 ,  5F058BA04 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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