特許
J-GLOBAL ID：201303024519833683

Zn-Si-O系酸化物焼結体とその製造方法および透明導電膜

発明者：
山野辺 康徳

山野辺 康徳 について

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曽我部 健太郎

曽我部 健太郎 について

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小沢 誠

小沢 誠 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社 について


代理人 (1件)： 上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-207198
公開番号（公開出願番号）：特開2013-067531
出願日： 2011年09月22日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si/(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子%であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO2粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900°Cの温度域を昇温速度5°C/分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900°C〜1400°Cで焼成する工程を有することを特徴とする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体において、 Siの含有量がSi/(Zn+Si)原子数比で0.1〜10原子%であり、 Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、 SiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とするZn-Si-O系酸化物焼結体。
IPC (4件)：
C04B 35/453 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/08
FI (4件)：
C04B35/00 P ,  C23C14/34 A ,  C23C14/24 E ,  C23C14/08 K
Fターム (42件)：
4G030AA07 ,  4G030AA16 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA11 ,  4G030GA14 ,  4G030GA16 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G030GA28 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA46 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA04 ,  4K029CA05 ,  4K029DB05 ,  4K029DB07 ,  4K029DC05 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029DD05 ,  4K029FA09 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10
引用特許：
審査官引用 (6件)
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