特許
J-GLOBAL ID：201303025109372057

R-T-B系希土類磁石粉末、R-T-B系希土類磁石粉末の製造方法、及びボンド磁石

発明者：
片山 信宏

片山 信宏 について

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川崎 浩史

川崎 浩史 について

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森本 耕一郎

森本 耕一郎 について


出願人/特許権者：
戸田工業株式会社

戸田工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-074581
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229595
出願日： 2013年03月29日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】HDDR処理におけるHD工程の処理条件を制御し、小粒子の残留磁束密度の低下を抑え、高い角型性を有し、かつ優れた残留磁束密度と保磁力を両立した磁石粉末を得る方法を提供する。【解決手段】HDDR処理によってR-T-B系希土類磁石粉末を得る製造方法において、原料合金の組成はR量が12.5at.%以上14.3at.%以下であり、B量が4.5at.%以上7.5at.%以下であり、Co量が10at.%以下であって、原料合金粉末を不活性雰囲気または真空雰囲気で770°C以上820°C以下の温度範囲に昇温した後に、水素含有ガス雰囲気に切り替えて前記温度範囲で保持する第1段HD工程を実施し、次いで830°C以上870°C以下の温度範囲に再昇温し水素含有ガス雰囲気で保持する第2段HD工程を実施する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
HDDR処理によってR-T-B系希土類磁石粉末を得る製造方法において、原料合金が、R(R:Yを含む一種以上の希土類元素)、T(T:Fe、またはFe及びCo)、B(B:ホウ素)を含み、該原料合金の組成はR量が12.5at.%以上14.3at.%以下であり、B量が4.5at.%以上7.5at.%以下であり、Co量が10at.%以下であって、該原料合金粉末を不活性雰囲気または真空雰囲気で770°C以上820°C以下の温度範囲に昇温した後に、雰囲気を水素含有ガス雰囲気に切り替えて、前記温度範囲で30分以上150分以下保持する第1段HD工程を実施し、次いで830°C以上870°C以下の温度範囲に再昇温し水素含有ガス雰囲気で60分以上240分以下保持する第2段HD工程を実施することを特徴とするR-T-B系希土類磁石粉末の製造方法。
IPC (7件)：
H01F 41/02 ,  H01F 1/057 ,  H01F 1/08 ,  C22C 38/00 ,  C22C 33/02 ,  B22F 1/00 ,  B22F 3/00
FI (8件)：
H01F41/02 G ,  H01F1/04 H ,  H01F1/08 A ,  C22C38/00 303D ,  C22C33/02 J ,  B22F1/00 Y ,  B22F3/00 F ,  B22F1/00 B
Fターム (18件)：
4K018AA27 ,  4K018BA18 ,  4K018BC09 ,  4K018BD01 ,  4K018CA04 ,  4K018KA46 ,  5E040AA04 ,  5E040BB05 ,  5E040CA01 ,  5E040HB11 ,  5E040NN01 ,  5E040NN06 ,  5E040NN13 ,  5E040NN15 ,  5E040NN18 ,  5E062CC05 ,  5E062CD04 ,  5E062CG03
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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