特許
J-GLOBAL ID：201303025616048784

面発光レーザアレイ

発明者：
佐藤 俊一

佐藤 俊一 について

, 
伊藤 彰浩

伊藤 彰浩 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-100843
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153225
出願日： 2013年05月13日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：
【課題】 ダミー素子を用いずに基板の面内方向におけるエッチング深さの差を低減可能な面発光レーザアレイを提供する。【解決手段】面発光レーザアレイは、各々が面発光レーザ素子1の構造からなる複数の面発光レーザ素子を備える。面発光レーザ素子1において、反射層102は、40.5周期の[n-AlAs/n-Al0.3Ga0.7As]からなり、共振器スペーサー層103,105の各々は、(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなる。活性層104は、GaInPAsからなる井戸層と、Ga0.6In0.4Pからなる障壁層とを含む量子井戸構造からなる。さらに、反射層106は、24周期の[p-Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなる。そして、メサ構造体の底面は、反射層106におけるエッチング深さの差を吸収する共振器スペーサー層103の途中に位置している。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板上に設けられ、複数の面発光レーザ素子が配置された素子配置部と、 前記基板上に設けられ、前記基板の面内方向において前記素子配置部の周囲に設けられた平坦部とを備え、 前記複数の面発光レーザ素子の各々は、レーザ光を出射するメサ構造体を含み、 前記平坦部および前記素子配置部は、前記メサ構造体を形成するときの前記面内方向におけるエッチング深さの差を吸収する吸収層を含み、 前記メサ構造体の底面は、前記基板に垂直な方向において前記吸収層中に位置している、面発光レーザアレイ。
IPC (1件)：
H01S 5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (11件)：
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AD05 ,  5F173AH03 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP73 ,  5F173AR93
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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