特許
J-GLOBAL ID：201303025700583580

フォトカプラ装置

発明者：
湯地 洋行

湯地 洋行 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-128329
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256683
出願日： 2011年06月08日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】動作電圧の異なる発光素子と受光素子との間の絶縁性を維持しつつ、受光効率の向上、素子動作の高速化を達成することができるフォトカプラ装置を提供する。【解決手段】透明絶縁性基板1上に、n型半導体層2、吸収層3、p型半導体層4が積層され、n型半導体層2〜p型半導体層4までで、PDを構成している。透明絶縁性基板1の裏面には、n型半導体層5、活性層6、p型半導体層7が下方向に向かって順に積層され、n型半導体層5〜p型半導体層7までで、LEDを構成している。低電圧側のLEDと高電圧側のPDとの間に配置された透明絶縁性基板1は、発光素子側の動作電圧と受光素子側の動作電圧との電圧差よりも大きい耐圧を有するように構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体材料で構成された透明絶縁性基板の表面に形成された発光素子と、 前記透明絶縁性基板の裏面に形成され前記発光素子と異なる動作電圧を有する受光素子とを備え、 前記透明絶縁性基板は前記発光素子側の動作電圧と受光素子側の動作電圧との電圧差よりも大きい耐圧を有するように前記透明絶縁性基板の厚さが決定されていることを特徴とするフォトカプラ装置。
IPC (1件)：
H01L 31/12
FI (1件)：
H01L31/12 C
Fターム (4件)：
5F089AB08 ,  5F089AB11 ,  5F089AB13 ,  5F089AC19
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • フォトカプラ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211267   出願人：日立電線株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-092582   出願人：株式会社日立製作所
  • 特願2011-123327
    出願番号：特願2011-123327  

前のページに戻る

TOP

BOTTOM