特許
J-GLOBAL ID：201303026480858210

赤外線センサ

発明者：
上之 康一郎

上之 康一郎 について


出願人/特許権者：
旭化成エレクトロニクス株式会社

旭化成エレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-067647
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201209
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：
【課題】素子抵抗を落とさずに、光電流をより大きくできるようにした素子形状の赤外線センサを提供する。【解決手段】本発明の赤外線センサは、基板と、N型ドーピングされた第一化合物半導体層、ノンドープ或いはp型ドーピングされた第二化合物半導体層、第二化合物半導体層よりも更に高濃度にp型ドーピングされた第三化合物半導体層がこの順で積層された、PINダイオード構造を備え、前記第一および第二化合部半導体層が接する部分の面積S1と、前記第二化合物半導体層の第三半導体層側の面の面積S2、と、前記第二化合物半導体層と第三化合物半導体層の接する部分の面積S3の関係が、S1>S2>S3であることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、N型ドーピングされた第一化合物半導体層、ノンドープ或いはp型ドーピングされた第二化合物半導体層、第二化合物半導体層よりも更に高濃度にp型ドーピングされた第三化合物半導体層がこの順で積層された、PINダイオード構造を備える赤外線センサであって、 前記第一および第二化合部半導体層が接する部分の面積S1と、前記第二化合物半導体層の第三半導体層側の面の面積S2、と、前記第二化合物半導体層と第三化合物半導体層の接する部分の面積S3の関係が、S1>S2>S3であることを特徴とする赤外線センサ
IPC (1件)：
H01L 31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (12件)：
5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NB10 ,  5F049PA03 ,  5F049PA08 ,  5F049PA14 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ13 ,  5F049WA01
引用特許：
審査官引用 (8件)
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