特許
J-GLOBAL ID：201303026594558496
光変調導波路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-098975
公開番号（公開出願番号）：特開2013-228473
出願日： 2012年04月24日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】本発明は、電界変調が2次元キャリアガスによって阻害されることなく所望の変調動作を得ることができる、窒化物系半導体で構成された光変調導波路を提供する。【解決手段】本発明の光変調導波路は、基板、窒化物系半導体バッファ層、下部窒化物系半導体クラッド層、窒化物系半導体光導波層及び上部窒化物系半導体クラッド層がC軸方向に順次積層され、第1の電極部及び第2の電極部が、窒化物系半導体光導波層の両側面を挟み込むように形成され、第1の電極部及び第2の電極部は、上部窒化物系半導体クラッド層にイオン注入することにより形成されたn型イオン注入領域と、n型イオン注入領域上に形成された電極とで構成され、上部窒化物系半導体クラッド層にp型ドープすることによって窒化物系半導体光導波層と接するようにp型ドープ領域が形成されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板、窒化物系半導体バッファ層、下部窒化物系半導体クラッド層、窒化物系半導体光導波層及び上部窒化物系半導体クラッド層がC軸方向に順次積層された光変調導波路であって、
第1の電極部及び第2の電極部が、前記窒化物系半導体光導波層の両側面を挟み込むように形成され、
前記第1の電極部は、前記上部窒化物系半導体クラッド層にイオン注入することにより前記上部窒化物系半導体クラッド層から少なくとも前記窒化物系半導体光導波層までをn型化することにより形成された第1のn型イオン注入領域と、前記第1のn型イオン注入領域上に形成された第1の電極とで構成され、
前記第2の電極部は、前記上部窒化物系半導体クラッド層にイオン注入することにより前記上部窒化物系半導体クラッド層から少なくとも前記下部窒化物系半導体光導波層までをn型化することにより形成された第2のn型イオン注入領域と、前記第2のn型イオン注入領域上に形成された第2の電極とで構成され、
前記第1の電極と前記第2の電極との間における前記上部窒化物系半導体クラッド層にp型ドープすることによって、前記窒化物系半導体光導波層と接するようにp型ドープ領域が形成されていることを特徴とする光変調導波路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079BA03
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079DA22
, 2H079DA25
, 2H079EA03
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079EB05
, 2H079HA11
出願人引用 (9件)
-
半導体光導波路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-331277
出願人：日本電気株式会社
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光周波数変換素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-240901
出願人：株式会社日立製作所
-
半導体光変調器
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-119191
出願人：沖電気工業株式会社
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引用文献：
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