特許
J-GLOBAL ID：201303026829959590
シリコン基板の検査装置、および検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 省吾
, 稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-173862
公開番号（公開出願番号）：特開2013-036888
出願日： 2011年08月09日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：
【課題】結晶粒界や光学系のムラによる画像の濃淡差が発生しても内部クラックを検出することの出来るシリコンウエハ検査方法および装置を提供する。【解決手段】赤外照明光を円偏光フィルタを用いて円偏光し、シリコンウエハに対して照射する。シリコンウエハ表面,および裏面での反射光は偏光方向が反転するため,円偏光フィルタを透過することは出来ない。一方,内部にクラックなどの欠陥があれば照明光は乱反射するため無偏光となり,円偏光フィルタを透過することが出来るため,カメラにて撮像が可能である。このため,クラック等の欠陥で乱反射した照明光のみを撮像し画像処理装置で検出することで,クラック等の欠陥の有無を検出することが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被検査体であるシリコン基板へ向けて赤外照明光を供給する赤外線光源と、
前記赤外線光源と前記シリコン基板との間のビームの光路中に設けられ,前記赤外照明光のうち円偏光成分を射出する円偏光フィルタと、
前記シリコン基板から反射したビームを,前記円偏光フィルタを介して撮像する撮像手段と、
前記撮像手段から入力された画像データを演算する画像処理手段と、
を有することを特徴とするシリコン基板の検査装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N21/88 H
, G01N21/956 A
2G051AA51
, 2G051AB06
, 2G051BA01
, 2G051BA06
, 2G051BA11
, 2G051BB01
, 2G051BB07
, 2G051BB11
, 2G051CA04
, 2G051CB01
, 2G051CB02
, 2G051CC07
, 2G051CC11
