イオン注入イオン源、システム、および方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：山本秀策 , 山本健策 , 森下夏樹 , 飯田貴敏 , 石川大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-016451
公開番号（公開出願番号）：特開2013-127976
出願日： 2013年01月31日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：

【課題】新規なソース材料(特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料)を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。【解決手段】イオン注入システム用のイオン源(1)は、プロセスガスを生成する蒸発器(2)と、電子ビーム(32)を指向してイオン化封入物(16)内のプロセスガスをイオン化する電子源(12)と、ビームダンプ(11)と、イオン化チャンバ(5)と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ(37)とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

本明細書に記載の発明。

IPC (5件)：

H01J 27/20 , H01J 27/14 , H01J 37/08 , H01J 37/317 , H01L 21/265

FI (6件)：

H01J27/20 , H01J27/14 , H01J37/08 , H01J37/317 Z , H01L21/265 603A , H01L21/265 Z

Fターム (7件)：

5C030DD04 , 5C030DD05 , 5C030DE01 , 5C030DE05 , 5C030DE09 , 5C034CC01 , 5C034CD02

引用特許：

審査官引用 (7件)

イオン源制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-129579 出願人：日新電機株式会社
イオン源装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-233430 出願人：日新電機株式会社
特開平3-257748

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