特許
J-GLOBAL ID：201303027440120834

ビアホール形成方法及びビアホール形成装置

発明者：
今西 賢

今西 賢 について


出願人/特許権者：
株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について


代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  千且 和也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-117213
公開番号（公開出願番号）：特開2013-247118
出願日： 2012年05月23日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
要約：
【課題】レーザによるビアホールの形成時間を短縮し、生産性を向上させる。【解決手段】ビアホール形成装置100は、加工基材10が載置されるステージ19と、レーザ光L1,L2を加工基材に向けて照射するレーザ照射装置と、加工基材10の上方に配置された集塵機20とを備える。加工基材10は、絶縁層11と、この絶縁層11の両面に形成された導体層12,13とを備える。ビアホール形成装置100は、ビアホール形成領域30の外周対応箇所に集光されたレーザ光L1を照射し、加工基材10の表層の導体層12をビアホール形成領域を囲むように除去し、ビアホール形成領域30の径と同径かそれよりも僅かに大きなビームスポット径となるように拡散されたレーザ光L2をビアホール形成領域30に照射して、ビアホール形成領域30内に残存する導体層12及び絶縁層11を除去し、ビアホールを形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁層の一方の面に第1導体層が形成されると共に前記絶縁層の他方の面に第2導体層が形成された基材に、前記第1導体層及び絶縁層を、前記第2導体層を貫通しないように除去してビアホールを形成するビアホール形成方法において、 前記第1導体層におけるビアホール形成領域の外周対応箇所を、集光された第1レーザ光の照射によって除去する工程と、 前記ビアホール形成領域内に残存する前記第1導体層及び絶縁層を、前記第1レーザ光よりも拡散された第2レーザ光を照射して除去する工程とを備えた ことを特徴とするビアホール形成方法。
IPC (2件)：
H05K 1/11 ,  H05K 3/46
FI (2件)：
H05K1/11 H ,  H05K3/46 N
Fターム (18件)：
5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB02 ,  5E317BB03 ,  5E317BB12 ,  5E317CD32 ,  5E317GG16 ,  5E346AA43 ,  5E346CC08 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346CC12 ,  5E346CC32 ,  5E346DD12 ,  5E346DD22 ,  5E346FF04 ,  5E346GG15 ,  5E346HH32
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM