特許
J-GLOBAL ID：201303027653429618

パターン形成方法

発明者：
荻原 勤

荻原 勤 について

, 
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-103332
公開番号（公開出願番号）：特開2013-230428
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：
【課題】 従来の自己組織化ポリマーでは難しい、均一性や規則性に優れた、自己組織化により形成されるミクロドメイン構造のパターンを得ることを目的とする。【解決手段】 自己組織化を用いたパターン形成方法であって、酸不安定基で置換された有機基を置換基として持つケイ素含有膜形成用組成物を被加工基板上に塗布してケイ素含有膜を形成する工程、該ケイ素含有膜上にフォトレジスト膜を形成する工程、該フォトレジスト膜に対してパターンを露光する工程、該フォトレジスト膜を剥離する工程、前記ケイ素含有膜上に自己組織化が可能なポリマー膜を形成する工程、該ポリマー膜にミクロドメイン構造を形成する工程、該ポリマー膜にパターンを形成する工程、該ポリマー膜のパターンをマスクとして前記ケイ素含有膜にパターン転写する工程、及び該ケイ素含有膜に転写されたパターンをマスクとして前記被加工基板にパターン転写する工程を含むことを特徴とする自己組織化を用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
自己組織化を用いたパターンの形成方法であって、 酸不安定基で置換された水酸基または酸不安定基で置換されたカルボキシル基を含む有機基を置換基として持つケイ素含有化合物を含有するケイ素含有膜形成用組成物を、被加工基板上に塗布、加熱してケイ素含有膜を形成する工程、 該ケイ素含有膜上にフォトレジストを塗布加熱し、フォトレジスト膜を形成する工程、 該フォトレジスト膜に対して高エネルギー線でパターンを露光、加熱処理する工程、 該フォトレジスト膜を、剥離液を用いて剥離する工程、 自己組織化が可能なポリマーを、前記フォトレジスト膜を剥離した後の前記ケイ素含有膜上に塗布し、ポリマー膜を形成する工程、 該ポリマー膜を加熱処理により自己組織化し、ミクロドメイン構造を形成する工程、 該ミクロドメイン構造を形成したポリマー膜をドライエッチングすることによりパターンを形成する工程、 該ポリマー膜のパターンをマスクとしてドライエッチングにより前記ケイ素含有膜にパターン転写する工程、及び 該ケイ素含有膜に転写されたパターンをマスクとしてドライエッチングにより前記被加工基板にパターン転写する工程を含むことを特徴とする自己組織化を用いたパターン形成方法
IPC (7件)：
B05D 7/24 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/40 ,  B05D 3/06 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/306 ,  B05D 3/10
FI (8件)：
B05D7/24 302Y ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/40 521 ,  B05D3/06 Z ,  H01L21/312 C ,  H01L21/312 M ,  H01L21/302 102 ,  B05D3/10 C
Fターム (30件)：
2H096AA25 ,  2H096HA07 ,  4D075AE03 ,  4D075BB20Y ,  4D075BB20Z ,  4D075BB24Y ,  4D075BB24Z ,  4D075BB45Y ,  4D075BB85X ,  4D075CB11 ,  4D075DA06 ,  4D075EA45 ,  4D075EB42 ,  5F004AA09 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004DB24 ,  5F004EA03 ,  5F004EA28 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG04 ,  5F058AG09
引用特許：
審査官引用 (2件)

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