特許

J-GLOBAL ID：201303028229555340

プロセス、電圧、および温度センサ

発明者： リー,ジャン・ヒー
出願人/特許権者： スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-522792
公開番号（公開出願番号）：特表2013-500602
出願日： 2009年09月22日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：

集積回路は、プロセスセンサと温度センサと電圧センサとを含む。プロセスセンサは、集積回路が形成される半導体プロセスを示すプロセスパラメータを検知し検知されたプロセスパラメータに基づいて上記半導体プロセスの特徴をプロセスセンサの出力に与えるように構成される。温度センサは、集積回路の温度の表示を温度センサの出力に与えるように構成され、電圧センサは、集積回路の電源電圧レベルの表示を電圧センサの出力に与えるように構成される。プロセスセンサの出力は、温度センサおよび電圧センサのうち少なくとも一方に結合されて、温度の表示および電源電圧レベルの表示のうち少なくとも一方を補償する。

請求項（抜粋）：

集積回路であって、 プロセスセンサを備え、前記プロセスセンサは、前記集積回路が形成される半導体プロセスを示すプロセスパラメータを検知し検知されたプロセスパラメータに基づいて前記半導体プロセスの特徴を前記プロセスセンサの出力に与えるように構成され、 温度センサを備え、前記温度センサは、前記集積回路の温度の表示を前記温度センサの出力に与えるように構成され、 電圧センサを備え、前記電圧センサは、前記集積回路の電源電圧レベルの表示を前記電圧センサの出力に与えるように構成され、 前記プロセスセンサの出力は、前記温度センサおよび前記電圧センサのうち少なくとも一方に電気的に結合されて、前記半導体プロセスの特徴に応じて前記温度の表示および前記電源電圧レベルの表示のうち少なくとも一方を補償する、集積回路。

IPC (6件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H03G 3/10 ,  G01K 7/01 ,  G01R 19/00 ,  H01L 21/66

FI (6件)：

H01L27/04 T ,  H03G3/10 A ,  H03G3/10 D ,  G01K7/00 391C ,  G01R19/00 B ,  H01L21/66 F

Fターム (33件)：

2F056JT06 ,  2G035AB01 ,  2G035AC01 ,  2G035AD02 ,  2G035AD10 ,  2G035AD28 ,  2G035AD56 ,  2G035AD65 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AC07 ,  4M106CA02 ,  4M106CA31 ,  4M106CA70 ,  5F038AR09 ,  5F038AZ08 ,  5F038BB02 ,  5F038BB05 ,  5F038BB07 ,  5F038CD09 ,  5F038CD16 ,  5F038DF03 ,  5F038DF04 ,  5F038DT12 ,  5F038DT16 ,  5F038DT19 ,  5F038EZ20 ,  5J100AA02 ,  5J100AA18 ,  5J100AA25 ,  5J100BA01 ,  5J100BA10 ,  5J100EA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路の設計方法、半導体集積回路の設計装置、半導体集積回路の動作の制御方法、半導体集積回路、及び半導体集積回路の制御システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-083336   出願人：富士通株式会社
• 特許第3475237号
  
• 半導体集積回路およびその関連技術
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-201781   出願人：松下電器産業株式会社