特許
J-GLOBAL ID：200903038210122985

半導体集積回路の設計方法、半導体集積回路の設計装置、半導体集積回路の動作の制御方法、半導体集積回路、及び半導体集積回路の制御システム

発明者：
小川 敏男

小川 敏男 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-083336
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258569
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】本発明は、短期間で設計することが可能な半導体集積回路の設計方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体集積回路の設計方法は、半導体集積回路の動作時の動作温度及び動作電源電圧について変動可能な許容範囲を定め、半導体集積回路のプロセスばらつきによる回路特性の変動をキャンセルする目標温度及び目標電源電圧をプロセスばらつきに応じた各回路特性毎に算出し、半導体集積回路が目標温度及び目標電源電圧を略中心とした許容範囲内で動作すると仮定して許容範囲内の任意の温度と電源電圧とで正常に動作するように回路設計する各段階を含むことを特徴とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の動作時の動作温度及び動作電源電圧について変動可能な許容範囲を定め、 該半導体集積回路のプロセスばらつきによる回路特性の変動をキャンセルする目標温度及び目標電源電圧をプロセスばらつきに応じた各回路特性毎に算出し、 該半導体集積回路が該目標温度及び目標電源電圧を略中心とした該許容範囲内で動作すると仮定して該許容範囲内の任意の温度と電源電圧とで正常に動作するように回路設計する 各段階を含むことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
IPC (4件)：
H01L 21/82 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  G06F 17/50
FI (5件)：
H01L21/82 C ,  H01L27/04 A ,  G06F17/50 658T ,  G06F17/50 658U ,  G06F17/50 658V
Fターム (24件)：
5B046AA08 ,  5B046BA03 ,  5F038CA01 ,  5F038CA17 ,  5F038CD09 ,  5F038CD12 ,  5F038DT12 ,  5F038DT19 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB33 ,  5F064CC12 ,  5F064CC23 ,  5F064DD09 ,  5F064EE42 ,  5F064EE45 ,  5F064EE47 ,  5F064FF16 ,  5F064FF27 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09 ,  5F064HH10 ,  5F064HH12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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