特許
J-GLOBAL ID：201303029079709243
磁気センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-079703
公開番号（公開出願番号）：特開2013-242299
出願日： 2013年04月05日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：
【課題】磁気センサ10の高感度化と角度測定の誤差の低減とを両立させる。【解決手段】TMR素子20と補正用AMR素子30とが電源Vddとグランドとの間に直列接続されている。補正用AMR素子30の抵抗値は、TMR素子20の抵抗値に含まれる外部磁場の回転角度の出力誤差を打ち消すように設定されている。補正用AMR素子30の抵抗値は、TMR素子20の抵抗値に比べて小さくなっている。電源VddからTMR素子20に与えられる電圧を大きくすることができる。TMR素子20において外部磁場の回転角度に応じた抵抗値の変化量を大きくすることができる。したがって、外部磁場の回転角度に応じた磁気センサ10の出力の変化量を大きくすることができる。磁気センサ10としての感度を上げることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
外部磁場に対して磁化方向が固定された磁化固定層と、前記外部磁場によって磁化方向が回転する強磁性層と、前記磁化固定層と前記強磁性層との間に挟まれて前記磁化固定層の磁化方向と前記強磁性層の磁化方向との間の角度によって抵抗値が変化する非磁性中間層とを備える磁気抵抗素子(20、20a〜20d)と、
前記磁気抵抗素子に比べて抵抗値が小さく、かつ前記外部磁場の回転角度に応じて抵抗値が変化する異方性磁気抵抗素子(30、30a〜30d)と、を備え、
前記磁気抵抗素子の抵抗値および前記異方性磁気抵抗素子の抵抗値の合成抵抗値に基づいて前記外部磁場を測定するように構成されていることを特徴とする磁気センサ。
IPC (3件)：
G01D 5/245
, G01R 33/02
, G01R 33/09
G01D5/245 R
, G01R33/02 L
, G01R33/06 R
, G01D5/245 N
2F077AA20
, 2F077PP14
, 2F077TT11
, 2F077UU09
, 2F077VV11
, 2F077VV33
, 2G017AA03
, 2G017AA13
, 2G017AC09
, 2G017AD55
