特許
J-GLOBAL ID：201303029353724971
パワーモジュール用基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 増井 裕士
, 細川 文広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-014629
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229564
出願日： 2013年01月29日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】絶縁層の一方の面及び他方の面に、異種の金属で構成された回路層及び金属層を接合する際に生じる反りを、比較的短時間かつ低コストで小さくすることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層11と、この絶縁層11の一方の面に配設された回路層12と、前記絶縁層11の他方の面に配設された金属層13と、を備えるパワーモジュール用基板10の製造方法において、前記回路層12と前記金属層13とは、異種の金属で構成され、前記絶縁層11の一方の面及び他方の面に、前記回路層12及び前記金属層13を接合した後に、積層方向に加圧した状態で常温よりも低い温度にまで冷却する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁層と、この絶縁層の一方の面に配設された回路層と、前記絶縁層の他方の面に配設された金属層と、を備えるパワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記回路層と前記金属層とは、異種の金属で構成され、
前記絶縁層の一方の面及び他方の面に、前記回路層及び前記金属層を接合した後に、積層方向に加圧した状態で常温よりも低い温度にまで冷却することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/36
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H05K 3/22
H01L23/36 C
, H01L25/04 C
, H05K3/22 C
5E343AA23
, 5E343BB24
, 5E343BB28
, 5E343BB67
, 5E343CC01
, 5E343DD51
, 5E343ER31
, 5E343ER54
, 5E343GG20
, 5F136BB04
, 5F136BB05
, 5F136BC03
, 5F136CB06
, 5F136CB07
, 5F136DA27
