特許
J-GLOBAL ID：201303029375110284

メタライズ化された窒化アルミニウム基板およびそれを用いたQFP型の半導体パッケージ

発明者：
羽鳥 孝栄

羽鳥 孝栄 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

, 
東芝マテリアル株式会社

東芝マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260286
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076192
特許番号：特許第5022536号
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 全面に酸化アルミニウムを主成分とする酸化膜を設け、さらにその一部にメタライズ層を設けたメタライズ化された窒化アルミニウム基板において、 前記メタライズ層を設ける個所に存在する酸化膜が、ホーニング加工により膜厚が0.3μm以上2μm以下、膜厚の最大値と最小値の差が0.2μm以下、かつこの最大値と最小値を示す部位の距離が200μm以上とされており、 酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さRaが0.8μm以下であり、酸化膜を形成する前の前記窒化アルミニウム基板の表面粗さRmaxが6μm以下であり、 前記メタライズ層に最大径0.2mm以上のフクレが存在せず、かつ最大径0.2mm未満のフクレの個数が1個以下であることを特徴とするメタライズ化された窒化アルミニウム基板。
IPC (3件)：
C04B 41/80 ( 200 6.01) ,  H01L 23/08 ( 200 6.01) ,  H01L 23/15 ( 200 6.01)
FI (3件)：
C04B 41/80 A ,  H01L 23/08 C ,  H01L 23/14 C
引用特許：
審査官引用 (33件)
  • 特開昭63-170289
  • 特開昭63-170289
  • 特開昭63-170289
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