特許
J-GLOBAL ID：201303029846652368

MEMS素子およびそれを用いた電気機器

発明者：
内藤 康幸

内藤 康幸 について

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フィリップ・ヘイリン

フィリップ・ヘイリン について

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ヘンドリカス・エー・シー ティルマン

ヘンドリカス・エー・シー ティルマン について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について

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アイメック

アイメック について


代理人 (4件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  言上 惠一 ,  玄番 佐奈恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-181674
公開番号（公開出願番号）：特開2013-059855
出願日： 2012年08月20日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：
【課題】真空の空洞内にMEMS構造体が封止されたMEMS素子において、封止の気密性が長期間安定に保持されるようにする。【解決手段】MEMS構造体201が、基板301および積層構造体120により、空洞110内に気密封止されているMEMS素子500において、積層構造体120を構成する、2つの層の間に界面封止層101、102、103を設けて、気体が基板301の表面と平行な方向において、2つの層の界面を通過して空洞110内に侵入することを抑制する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に配置された可動部を含むMEMS構造体と、 前記基板上に積層され、前記MEMS構造体を内部に含む空洞を形成する複数の層を含む積層構造体と、 を有し、 前記MEMS構造体は前記基板および前記積層構造体により、空洞内に気密封止されている、 MEMS素子であって、 前記積層構造体が、 前記空洞の前記基板の表面と平行な方向の形状および寸法を規定する支持層、 前記支持層の表面に配置され、前記空洞を形成するために用いられたエッチングホールを有する封止層、 前記封止層の表面に配置された蓋層 前記封止層と前記蓋層との間に配置され、前記エッチングホールを覆う多孔質層、および 前記封止層と前記多孔質層との間に、前記封止層と前記多孔質層に接して配置されている、前記封止層および前記多孔質層のいずれよりも緻密である、界面封止層 を有する、
IPC (3件)：
B81B 7/02 ,  B81B 3/00 ,  H03H 9/24
FI (3件)：
B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  H03H9/24 Z
Fターム (23件)：
3C081AA01 ,  3C081BA30 ,  3C081BA46 ,  3C081BA47 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081DA22 ,  3C081EA22 ,  5J108AA07 ,  5J108AA09 ,  5J108BB08 ,  5J108CC01 ,  5J108CC04 ,  5J108CC11 ,  5J108DD09 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108EE13 ,  5J108GG03 ,  5J108GG07 ,  5J108GG14 ,  5J108KK04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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