特許
J-GLOBAL ID:201303030655802082
半導体装置およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
井上 学
, 戸田 裕二
, 岩崎 重美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-261185
公開番号(公開出願番号):特開2013-115282
出願日: 2011年11月30日
公開日(公表日): 2013年06月10日
要約:
【課題】 半導体素子と基板がはんだで接合され、樹脂でモールドされる半導体装置の信頼性を高めることを目的とする。【解決手段】 はんだ材106に易揮発金属(Zn、Mg、Sb)を含むはんだを用い、半導体素子104とリードフレーム102を接合し、ワイヤボンディングを実施した後、真空加熱処理を加え、はんだ中の易揮発金属を揮発させ、基板表面に付着してリードフレームとの合金103を形成させることで、基板表面を粗化し、封止樹脂101と基板の密着力を向上させる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
リードに、はんだを用いて半導体素子を接続する接続工程と、
減圧雰囲気下で、易揮発金属を蒸発させ、前記リードの表面に、当該易揮発金属とリードに含まれる金属との合金を形成する合金形成工程と、
前記半導体素子及び前記合金が形成されたリードを、樹脂封止する封止工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L23/50 H
, H01L23/50 K
Fターム (6件):
5F067AA04
, 5F067AB01
, 5F067DC12
, 5F067DC14
, 5F067DC16
, 5F067EA04
引用特許:
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