特許
J-GLOBAL ID：201303031809451012

太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法

発明者：
新楽 浩一郎

新楽 浩一郎 について

, 
古茂田 学

古茂田 学 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-100227
公開番号（公開出願番号）：特開2013-150021
出願日： 2013年05月10日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】 簡易に作製することが可能な高効率の太陽電池素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 表面と該表面の裏面とを含み、結晶粒の長手方向が基板の厚み方向に対してほぼ垂直となる一導電型を有する多結晶シリコン基板を備え、前記多結晶シリコン基板の裏面側に真性の第一薄膜層を備え、前記多結晶シリコン基板の裏面側の第一領域では、前記第一薄膜層の上に逆導電型を示す第二薄膜層と、第一電極とを有し、前記多結晶シリコン基板の裏面側の第二領域では、一導電型を示す第一拡散層と、第二電極とを有する太陽電池素子とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
表面と該表面の裏面とを含み、結晶粒の長手方向が基板の厚み方向に対してほぼ垂直となる一導電型を有する多結晶シリコン基板を備え、 前記多結晶シリコン基板の裏面側に真性の第一薄膜層を備え、 前記多結晶シリコン基板の裏面側の第一領域では、前記第一薄膜層の上に逆導電型を示す第二薄膜層と、第一電極とを有し、 前記多結晶シリコン基板の裏面側の第二領域では、一導電型を示す第一拡散層と、第二電極とを有することを特徴とする太陽電池素子。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (25件)：
5F151AA03 ,  5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151AA16 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA18 ,  5F151CA35 ,  5F151CA36 ,  5F151CB20 ,  5F151CB22 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151DA10 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA15 ,  5F151FA30 ,  5F151GA04 ,  5F151GA14 ,  5F151GA20 ,  5F151HA03 ,  5F151JA07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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