特許
J-GLOBAL ID：201303032213171710
半導体レーザーモジュールの製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-155857
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050824
特許番号：特許第4833440号
出願日： 2001年05月24日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体レーザー素子が光ファイバの先端と光結合状態でパッケージ内に収容配置されている形態と成し、上記パッケージ内には上記半導体レーザー素子の温度を調整するペルチェモジュールが設けられている半導体レーザーモジュールにおいて、
上記パッケージは、底板とこの底板上に立設する周壁とを有する箱形状と成し、このパッケージの底板には上記ペルチェモジュールが固定されており、そのパッケージの底板は金属により構成され、周壁は樹脂によって構成され、かつ
パッケージの底板にはアンカーリブが上方側に向けて立設されており、パッケージの周壁には上記アンカーリブが埋設固定されており、
上記光ファイバの先端と半導体レーザー素子は光結合状態でモジュール化されて内部モジュールを構成しており、この内部モジュールはペルチェモジュールの上部に直接的に又はベースを介して間接的に配設されていることを特徴とする半導体レーザーモジュール;の製造方法であって、
上記内部モジュールは、ペルチェモジュールの上部側の板部材を加熱させる方向の電流を通電させて加熱しながら上記ペルチェモジュールの上部に半田付けを行うことを特徴とする製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/024 ( 200 6.01)
, G02B 6/42 ( 200 6.01)
, H01S 5/022 ( 200 6.01)
H01S 5/024
, G02B 6/42
, H01S 5/022
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
