特許
J-GLOBAL ID:200903018491514720
半導体レーザ結合装置及びその外部基板実装方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-262711
公開番号(公開出願番号):特開2000-091689
出願日: 1998年09月17日
公開日(公表日): 2000年03月31日
要約:
【要約】【課題】半導体レーザとファイバとを光結合し、-40〜85°Cの広い温度環境で光結合変動が生じないこと、半導体レーザの温度上昇をできるだけ抑える低コストモジュール構造とする。具体的には、プラスチックケースに光結合系を収納すると、ケース変形で光結合が変動すること、熱抵抗が増大することがある。【解決手段】ケース開口部付近に補強用のフレーム挿入し、ケース及び基板のそりを抑える構造とし、さらに、外部のアルミナ基板実装で変形を抑える。すなわち、結合安定性をケースを工夫してとることと外部基板に積装することで良くする。また、熱抵抗についても同様にフレームと外部アルミナ基板で抑える。
請求項(抜粋):
半導体レーザ素子又は半導体受光素子と半導体レーザ素子あるいは半導体受光素子と光結合するように設けた光ファイバと、前記半導体レーザ素子又は前記半導体受光素子及び前記光ファイバを実装する基板と、前記基板を収納するケースからなる半導体レーザ結合装置において、前記ケースは、上方に開口部を持つ略角型形状であり、前記ケース底面に放熱部材を、前記ケース開口部近傍に補強部材を配置した構成としたことを特徴とする半導体レーザ結合装置。
IPC (3件):
H01S 5/022
, G02B 6/42
, H01L 31/0232
FI (3件):
H01S 3/18 612
, G02B 6/42
, H01L 31/02 C
Fターム (20件):
2H037BA04
, 2H037BA11
, 2H037DA03
, 2H037DA04
, 2H037DA35
, 2H037DA38
, 5F073AB28
, 5F073EA15
, 5F073FA02
, 5F073FA07
, 5F073FA13
, 5F073FA24
, 5F073FA30
, 5F088AA01
, 5F088BA10
, 5F088EA09
, 5F088EA20
, 5F088JA03
, 5F088JA14
, 5F088JA20
引用特許:
出願人引用 (6件)
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光素子モジュールのケース
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-295016
出願人:三菱マテリアル株式会社
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光素子モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-290443
出願人:三菱マテリアル株式会社
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光半導体モジュール装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-227758
出願人:株式会社東芝
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審査官引用 (6件)
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光半導体モジュール装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-227758
出願人:株式会社東芝
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導波路型光モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-182162
出願人:日立電線株式会社
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光伝送モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-324276
出願人:富士通株式会社
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