特許
J-GLOBAL ID：201303033026337392

炭化珪素基板、半導体装置及び配線基板

発明者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について

, 
寺本 章伸

寺本 章伸 について

, 
佐野 純央

佐野 純央 について

, 
藤田 房雄

藤田 房雄 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について

, 
三井造船株式会社

三井造船株式会社 について


代理人 (2件)： 池田 憲保 ,  福田 修一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-256337
公開番号（公開出願番号）：特開2013-080936
出願日： 2012年11月22日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
要約：
【課題】電子素子等のデバイスを実装するには、炭化珪素基板の高周波損失が大きく、実際には電子素子を炭化珪素基板に実装できなかった。【解決手段】20GHzにおける高周波損失が2.0dB/mm以下の炭化珪素基板であれば、電子素子を実装して十分に動作させることができることを見出し、2.0dB/mm以上の高周波損失特性を有する炭化珪素基板を2000°C以上で加熱する。この熱処理により20GHzにおける高周波損失を2.0dB/mm以下にすることができた。また、ヒーターに窒素を流さないで、CVDにより炭化珪素基板を作製することによって高周波損失を2.0dB/mm以下にすることができた。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
CVD法による多結晶炭化珪素によって構成され、信号通過特性の動作伝送行列(S21)で表される周波数20GHzにおける伝送損失が2dB/mm以下になるように熱処理されたものであることを特徴とする炭化珪素基板。
IPC (4件)：
H01L 23/14 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/205 ,  H05K 1/03
FI (4件)：
H01L23/14 S ,  H01L23/12 301Z ,  H01L21/205 ,  H05K1/03 610C
Fターム (17件)：
5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045DA66 ,  5F045GH09 ,  5F045HA16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM