特許
J-GLOBAL ID：201303033438915102
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人レクスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-164824
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201411
出願日： 2012年07月25日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：
【課題】光取り出し効率を改善し、高発光効率で高い光出力線形性を有するとともに、劣化の少ない高信頼性の半導体発光装置を提供する。【解決手段】第1の半導体層、発光層及び第2の半導体層が順次積層された半導体構造層を有し、第2の半導体層側から第2の半導体層及び発光層を貫通して第1の半導体層内に達する溝と、上記溝内の第1の半導体層に接触して形成された第1のオーミック電極と、第1の半導体層表面から第1の半導体層を貫通し第1のオーミック電極の一部に電気的に接続された接続電極と、第2の半導体層の第1の半導体層表面に対向する表面を覆うともに、当該対向する表面を部分的に露出する開口部を有する絶縁層と、上記開口部において第2の半導体層に接触して形成された第2のオーミック電極と、絶縁層上に形成され、かつ第2のオーミック電極に接続された金属層と、接合層を介して金属層に接合された支持体と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の半導体層、発光層及び前記第1の半導体層とは反対の導電型の第2の半導体層が順次積層された半導体構造層を有し、前記第1の半導体層の表面を光取り出し面とする発光装置であって、
前記第2の半導体層側から前記第2の半導体層及び前記発光層を貫通し、前記第1の半導体層内に達する溝と、
前記溝内の前記第1の半導体層に接触して形成された第1のオーミック電極と、
前記第1の半導体層表面から前記第1の半導体層を貫通し前記第1のオーミック電極の一部に電気的に接続された接続電極と、
前記第2の半導体層の前記第1の半導体層表面に対向する表面を覆うともに、前記対向する表面を部分的に露出する開口部を有する絶縁層と、
前記開口部において前記第2の半導体層に接触して形成された第2のオーミック電極と、
前記絶縁層上に形成され、かつ前記第2のオーミック電極に接続された金属層と、
接合層を介して前記金属層に接合された支持体と、
を有することを特徴とする発光装置。
IPC (5件)：
H01L 33/36
, H01L 33/46
, H01L 33/14
, H01L 33/22
, H01L 33/32
H01L33/00 200
, H01L33/00 310
, H01L33/00 150
, H01L33/00 172
, H01L33/00 186
5F141AA03
, 5F141AA14
, 5F141AA43
, 5F141CA13
, 5F141CA34
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F141CA74
, 5F141CA75
, 5F141CA85
, 5F141CA93
, 5F141CB15
, 5F141CB36
