特許
J-GLOBAL ID：200903075669417433

オプトエレクトロニクス半導体チップおよびオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法

発明者：
シュテファン イレク

シュテファン イレク について

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アンドレアス プレスル

アンドレアス プレスル について

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クラウス シュトロイベル

クラウス シュトロイベル について

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ヴァルター ヴェークライター

ヴァルター ヴェークライター について

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ラルフ ヴィルト

ラルフ ヴィルト について


出願人/特許権者：
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (4件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-061973
公開番号（公開出願番号）：特開2007-189242
出願日： 2007年03月12日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】薄膜技術によって製造可能な、光出力の改善された半導体チップとその製造方法とを提供する。【解決手段】薄膜活性層を複数のメサ形状に加工し、そのメサの表面に反射性を有するアイソレーション層とメタライズ層を形成する。さらに、薄膜活性層を別の支持基板に実装し、薄膜活性層を成長基板から分離する。薄膜活性層内の活性ゾーンにより発生した光をメサの表面に形成したアイソレーション層とメタライズ層により反射させることで発光効率を向上させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
薄膜活性層は光子を形成する活性ゾーンを備え、該活性ゾーンはpn接合領域を含み、チップのうち放射の出射方向とは反対側に少なくとも1つのキャビティが設けられ、該キャビティにより複数のメサが形成されている、 オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、 薄膜活性層はエピタキシ層列を有しかつ成長基板から分離される ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップ。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 B
Fターム (14件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第5008718号明細書、
  • 米国特許第5367580号明細書
  • 独国特許出願公開第19807758号明細書
審査官引用 (25件)
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