特許
J-GLOBAL ID：200903084812295394

半導体発光素子とその製造方法

発明者：
明石 和之

明石 和之 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (3件)： 河宮 治 ,  石井 久夫 ,  田村 啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-307200
公開番号（公開出願番号）：特開2006-148087
出願日： 2005年10月21日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 支持体上に半導体積層構造を貼り合わせた半導体発光素子において、好適な電極構造を提供し、優れた特性を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 互いに導電型の異なる第1の半導体層と第2の半導体層を含む半導体積層構造を有し、第1の半導体層に第1電極が接続され、第2の半導体層に第2電極が接続されてなる半導体発光素子であって、第1電極が、一方の主面に第1の半導体層に電気的に導通するように接する部分と、外部接続部とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに導電型の異なる第1の半導体層と第2の半導体層を含む半導体積層構造を有し、前記第1の半導体層に第1電極が接続され、前記第2の半導体層に第2電極が接続されてなる半導体発光素子であって、 前記第1電極は、一方の主面に、前記第1の半導体層に電気的に導通するように接する部分と、外部接続部とを有する半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 E
Fターム (6件)：
5F041CA13 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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