ヘテロエピタキシャル成長したグラフェンの剥離および転写技術およびそれを含む生成物

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：野河信太郎 , 甲斐伸二 , 金子裕輔 , 稲本潔 , 冨田雅己
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-523598
公開番号（公開出願番号）：特表2013-502050
出願日： 2010年07月22日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：

本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層(TCC)としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス(例えば、C2H2、CH4などといった)からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗(例えば、150オーム/スクウェア未満でかつドープされているときより低い)および高い透過係数(transmission value)(例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて)を示してもよい。

請求項（抜粋）：

触媒薄膜上にグラフェン薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ; 前記グラフェン薄膜上の前記触媒薄膜と反対の表面上にポリマーベース膜を配置し; 前記ポリマーベース膜を硬化させ;かつ前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜を前記触媒薄膜から剥離させることを含むグラフェン薄膜の単離方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L27/12 B , H01L21/20

Fターム (10件)：

5F152LL03 , 5F152LP08 , 5F152MM13 , 5F152NN03 , 5F152NN10 , 5F152NN11 , 5F152NN12 , 5F152NN14 , 5F152NP17 , 5F152NQ02

引用特許：

審査官引用 (1件)

膜の転写方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-352908 出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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