特許
J-GLOBAL ID：201303035191941167
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272583
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094112
特許番号：特許第4700156号
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル形成領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方と隣接して配置された低抵抗領域と、を有する島状半導体膜と、
前記チャネル形成領域の上に、第1の絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記低抵抗領域の上に、前記第1の絶縁膜を介して形成された容量配線と、
前記容量配線の上に第2の絶縁膜を介して形成された、走査線および島状の電極と、
前記走査線および前記島状の電極を覆って形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜の上に形成された信号線と、
を有し、
前記低抵抗領域には、導電型を付与する不純物元素が添加され、
前記走査線は、前記ゲート電極に接続され、
前記信号線は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方と接続され、
前記島状の電極には、画素電極が電気的に接続され、
前記島状の電極は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方に接続され、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方は、前記チャネル形成領域と前記低抵抗領域との間に配置され、
前記容量配線は、前記走査線と直交した方向に配置されており、
前記容量配線は、前記信号線と平行な方向に配置されており、
前記低抵抗領域、前記第1の絶縁膜及び前記容量配線は第1の保持容量を構成し、
前記容量配線、前記第2の絶縁膜及び前記走査線は第2の保持容量を構成し、
前記容量配線、前記第2の絶縁膜及び前記島状の電極は第3の保持容量を構成することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
H01L 29/78 612 Z
, G02F 1/136
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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