特許
J-GLOBAL ID：201303035322620345

ウェハ貼り合わせ技術を利用する光変調器

発明者：
ロング、ハイシェング

ロング、ハイシェング について

, 
リウ、アンシェング

リウ、アンシェング について


出願人/特許権者：
インテル・コーポレーション

インテル・コーポレーション について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-530879
公開番号（公開出願番号）：特表2013-505485
出願日： 2010年08月02日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：
【解決手段】 ウェハ貼り合わせ技術を用いる光変調器を提供する。ある実施形態に係る方法は、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェハにエッチングを実施して、SOIウェハの第1の表面にシリコン導波路構造の第1の部分を形成する段階と、結晶質シリコン層を含む第2のウェハであって、結晶質シリコンの第1の表面を持つ第2のウェハを用意する段階とを備える。当該方法はさらに、ウェハ貼り合わせ技術を用いて、薄い酸化物を介して、第2のウェハの第1の表面を、SOIウェハの第1の表面に、貼り合わせる段階を備える。尚、シリコン導波路構造の第2の部分は、結晶質シリコン層にエッチングで形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェハにエッチングを実施して、前記SOIウェハの第1の表面にシリコン導波路構造の第1の部分を形成する段階と、 結晶質シリコン層を含む第2のウェハであって、結晶質シリコンの第1の表面を持つ第2のウェハを用意する段階と、 ウェハ貼り合わせ技術を用いて、薄い酸化物を介して、前記第2のウェハの前記第1の表面を前記SOIウェハの前記第1の表面に貼り合わせる段階と を備え、 前記シリコン導波路構造の第2の部分は、前記結晶質シリコン層にエッチングで形成される方法。
IPC (3件)：
G02F 1/025 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/12
FI (3件)：
G02F1/025 ,  G02B6/12 A ,  G02B6/12 J
Fターム (21件)：
2H079AA05 ,  2H079AA12 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EB05 ,  2H079JA06 ,  2H079JA07 ,  2H079JA08 ,  2H147AB02 ,  2H147AC02 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA33D ,  2H147FB11 ,  2H147FC01 ,  2H147FC05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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