特許
J-GLOBAL ID：201303035392103488
貼合せSOIウェーハの製造方法および貼合せSOIウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 森道雄特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-084329
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157629
出願日： 2013年04月12日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：
【課題】SOI層と絶縁体層(酸化膜)の界面にゲッタリング源を形成させる貼合せSOIウェーハの製造方法及びSOIウェーハを提供する。【解決手段】貼り合わせ前のウェーハ表面に有機物が吸着した状態で貼り合わせ、貼合せ界面に前記有機物を閉じこめた状態で接合強化熱処理を行うことにより、貼合せ界面に結晶欠陥を形成させる。そのための具体的な方法として、ウェーハ表面を、有機物を含む雰囲気中で洗浄する方法、有機物を含む雰囲気中で乾燥する方法、有機物を含む洗浄液によりウェーハ表面を処理する方法、さらに、この有機物を含む処理液をウェーハ表面に塗布または滴下する方法等が適用可能である。本発明の貼合せSOIウェーハは、貼合せ界面にSiCからなりゲッタリング作用を有する微小な結晶欠陥を有しており、デバイス特性を劣化させる重金属不純物を効果的に除去することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SOI層となる活性層ウェーハと支持ウェーハとを酸化膜を介して貼り合わせた後、前記活性層ウェーハを薄膜化することにより、埋め込み酸化膜上にSOI層が形成された貼合せSOIウェーハを製造する方法において、
貼り合わせ前のウェーハ表面に有機物が吸着した状態で貼り合わせ、貼合せ界面に前記有機物を閉じこめた状態で接合強化熱処理を行うことにより、貼合せ界面に結晶欠陥を形成させることを特徴とする貼合せSOIウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/322
H01L27/12 B
, H01L21/322 G
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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