特許
J-GLOBAL ID：201303035429091892

薄膜トランジスタの製造方法、液晶表示装置の製造方法及びエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

発明者：
国井 正文

国井 正文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (3件)： 森 幸一 ,  吉井 正明 ,  山本 孝久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-275743
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094066
特許番号：特許第4830189号
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ガラスからなる絶縁性の基板に膜厚が60〜160nmの非晶質シリコンからなる半導体薄膜を形成する薄膜形成工程と、 該半導体薄膜を不活性ガス雰囲気中で600〜630°C、5〜20時間の条件で炉アニールして固相成長処理を施し、非晶質シリコンを1〜1.5μmの結晶粒径を持つ多結晶シリコンに転換すると同時に該基板の緻密化処理を施す固相成長工程と、 多結晶シリコンに転換した半導体薄膜に波長200〜400nmのエキシマレーザ光を照射して、多結晶シリコンに含まれる結晶欠陥を低減化する光照射工程と、 圧力が0.1Mpaから5Mpaの高圧水蒸気を用いて550〜650°Cの温度範囲で半導体薄膜を酸化することにより、多結晶シリコンの表面を熱酸化して膜厚が10〜200nmの酸化膜を形成する熱酸化工程と、 該半導体薄膜の表面を熱酸化して得られた酸化膜をゲート絶縁膜として、その上にゲート電極膜を形成する工程とを行う薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 F ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-128921   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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