半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-018096
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204434
出願日： 1998年01月12日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】触媒元素を用い、熱処理とレーザー光の照射を併用し、低温、短時間で結晶性の高い結晶性珪素を得る方法において、結晶化を助長する触媒元素としてゲッタリング工程の不要な触媒元素を用いることにより、特性が高く、生産性の良い半導体装置を得る。【解決手段】ガラス基板301上に形成された非晶質珪素膜3030上にゲルマニウム等の珪素と周期表の族が同じ14族元素の被膜304を形成し、550°C、4時間の加熱処理を行ない、さらにレーザー光を照射することによって、結晶性珪素膜3031を得る。上記構成において、珪素膜中に残存してもTFT特性に悪影響を及ぼさない14族元素を触媒元素に用いることで、高い特性を有し、生産性の良い半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に結晶性を有する珪素膜からなる活性領域が設けられた半導体装置であって、前記活性領域は、非晶質珪素膜に該非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持させ、加熱処理及び、レーザー光または強光を照射することにより形成され、前記触媒元素として14族元素から選ばれた一種または複数種の元素が用いられることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/329

FI (4件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/91 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-131415 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-162703 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタおよびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-274747 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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