特許
J-GLOBAL ID：200903005559339234

半導体装置の作製方法

発明者：
大谷 久

大谷 久 について

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福永 健司

福永 健司 について

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宮永 昭治

宮永 昭治 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-128921
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069968
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、加熱処理とレーザー光の照射を併用する。【構成】 ガラス基板11上に形成された非晶質珪素膜12上に極薄の酸化膜13を形成し、ニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液14を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー15を用いてスピンドライを行なう。そして、550°C、4時間の加熱処理を行ない、さらにレーザー光を照射することによって、結晶性珪素膜を得る。そしてさらに550°C、4時間の加熱処理を施すこにより、欠陥密度の小さい結晶性珪素膜を得る。
請求項（抜粋）：
結晶化を助長する金属元素を非晶質珪素膜に導入する工程と、加熱処理を施し前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜とする工程と、前記結晶性珪素膜に対してレーザー光または強光を照射する工程と、前記レーザー光または強光が照射された結晶性珪素膜に対して加熱処理を施す工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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