特許
J-GLOBAL ID：201303036047485889

半導体デバイスの製造方法

発明者：
今井 文一

今井 文一 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (2件)： 酒井 昭徳 ,  松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-095159
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222907
出願日： 2012年04月18日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：
【課題】ショットキーコンタクトの凹凸に対する被覆性が良好であり、位置決め等の画像認識に最適な反射率を有する表面電極を形成すること。【解決手段】SiC基板11のおもて面に、チタン、タングステン、モリブデン、クロムのいずれか一つの金属を含む層を形成し、加熱することにより、SiC基板11上にショットキー電極16を形成する。アルミニウムまたは珪素を含むアルミニウムにより、ショットキー電極16の表面に表面電極17を形成する。表面電極17の形成時には、100°C以上500°C以下で加熱することにより、表面電極17はショットキー電極16の凹凸に対する被覆が良好となり、また、表面電極17が自動ワイヤボンディング装置の画像認識に適した反射率となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体基板に電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法であって、 前記炭化珪素半導体基板のおもて面に、チタン、タングステン、モリブデン、クロムのいずれか一つの金属を含むショットキー層を形成し、 前記ショットキー層を加熱することにより、前記炭化珪素半導体基板とのショットキーコンタクトを有するショットキー電極を形成し、 アルミニウムまたは珪素を含むアルミニウムにより、前記ショットキー電極の表面に表面電極を形成するものであり、 前記表面電極の形成時には、当該表面電極が前記ショットキー電極の凹凸に対する被覆が良好で且つ前記表面電極が所定の反射率以下となる条件に適合した温度範囲を有して加熱することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/329 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2件)：
H01L29/48 P ,  H01L29/48 M
Fターム (21件)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB34 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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